該產品采用H橋電路結構設計,采用高可靠性功率管工藝,特別適合驅動線圈、馬達等感性負載。電路內部集成N溝道和P溝道功率MOSFET,工作電壓范圍覆蓋2V到8V。27℃,VDD=6.5V條件下持續輸出電流達到0.8A,峰值輸出電流達到1A。該單路為功率器件,本身具備一定內阻,電路的發熱與負載電流、功率管導通內阻以及環境溫度密切相關。電路設計有芯片級溫度檢測電路,實時監控芯片內部發熱,當芯片內部溫度超過設定值時(典型值150℃),產生功率管關斷信號,關閉負載電流,避免因異常使用導致的溫度持續升高,進而造成塑料封裝冒煙、起火等嚴重**事故。芯片內置的溫度遲滯電路,確保電路恢復到**溫度后,才允許重新對功率管進行控制。
特性:
低待機電流(小于0.1uA)
低導通內阻MOSFET功率開關管
采用MOS工藝設計功率管
100毫安通道功率管內阻0.5歐姆
500毫安通道功率管內阻0.7歐姆
內部集成續流二極管—無需外接續流二極管
超小型封裝尺寸:采用SOT23-6封裝,含引腳外形尺寸2.92mm*2.8mm。
應用:
遙控玩具飛機
尾翼馬達驅動
遙控玩具飛機舵機
馬達驅動玩具
直流電機驅動數碼產品的馬達驅動
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